Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с




НазваПроцессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с
старонка1/3
АКИМОВА ЖУМАХАН ОРАЗБАЕВНА
Дата канвертавання03.12.2012
Памер310.62 Kb.
ТыпАвтореферат
  1   2   3


АКАДЕМИЯ НАУК РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН

НПО «ФИЗИКА-СОЛНЦЕ» им.С.А.АЗИМОВА

ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ им. С.В.СТАРОДУБЦЕВА


На правах рукописи

УДК 621. 315. 592


АКИМОВА ЖУМАХАН ОРАЗБАЕВНА



ПРОЦЕССЫ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В КРЕМНИИ,

ЛЕГИРОВАННОМ Ho, La, Eu, И ИХ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ

С ТЕХНОЛОГИЧЕСКИМИ ПРИМЕСЯМИ О И С


01.04.10 – физика полупроводников


А В Т О Р Е Ф Е Р А Т


диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико - математических наук


ТАШКЕНТ – 2010

Работа выполнена в Научно-исследовательском институте прикладной физики при Национальном Университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека



Научный руководитель:




кандидат физико-математических наук, доцент

Далиев Хожакбар Султанович


:

Официальные оппоненты:



доктор физико-математических наук, профессор

Шамирзаев Сезгир Хабибуллаевич

доктор физико-математических наук

Маматкаримов Одилжон Охундедаевич






Ведущая организация:




Ташкентский государственный технический университет




Защита состоится «______ »____________ 2010 года в ______ часов на заседании Объединенного Специального совета Д.015.08.01 при Физико-техническом институте имени С.В.Стародубцева АН РУз по адресу: Ташкент 100084, ул. Бодомзор йўли, 2 б. Тел.: (8-10-99-871) – 2331271. Факс:(8-10-99-871) - 235-42-91; E-mail: karimov@uzsci.net


С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ФТИ АН РУз


Автореферат разослан «________»______________2010 г.


Ученый секретарь

Специализированного совета,

д.ф.-м.н., профессор Каримов А.В.

1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ДИССЕРТАЦИИ


Актуальность работы. В последние годы значительно возрос интерес к полупроводниковым материалам со специальными свойствами. Для получения таких материалов все шире используется легирование редкоземельными и переходными элементами. Это обусловлено, прежде всего, тем, что кремний леги-рованный этими примесями, используется для целого ряда специальных полупро-водниковых приборов, например, разного рода фотоприемников, солнечных эле-ментов и других устройств с повышенной радиационной и термической стабиль-ностью и т.д.

Известно, что основная часть примеси редкоземельных элементов (РЗЭ) в кремнии электрически нейтральны и в тоже время их наличие оказывает существенное влияние на процессы термического и радиационного дефекто-образования, в конечном итоге, на электрические свойства легированных кремния. Механизм влияния атомов примеси редкоземельных элементов на процессы тер-мического и радиационного дефектообразования носят противоречивый характер. Но все имеющиеся данные носят несколько разрозненный и противоречивый характер. Кроме того, большинство экспериментов по изучению электрических свойств кремния, легированного примесями редкоземельных элементов, прово-дилось с помощью эффекта Холла, измерения электропроводности, магнитной восприимчивости и других методов, чувствительность которых относительно невысока. Для более детального исследования поведения редкоземельных элемен-тов в кремнии и механизмы влияния на процессы термического и радиационного дефектообразования необходимо использование более информативных методов, обладающих высокой чувствительностью и большой разрешающей способностью (таких, как емкостная спектроскопия, электронный парамагнитный резонанс и др.).

Поэтому комплексное изучение электрических свойств также поведения атомов гольмия, лантана и европия в кремнии при термических и радиационных воздействиях с помощью нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней (DLTS), методов фотоемкости (ФЕ) и ИК поглощения является безус-ловно актуальным.

Cтепень изученности проблемы. Анализ многочисленных исследований показывает, что примеси РЗЭ в кремнии, не проявляя электрической активности в объеме кремния, оказывают заметное влияние на процессы термического и радиа-ционного дефектообразования. По данным различных авторов, легирование кремния примесями редкоземельных элементов препятствует образованию как термических, так и радиационных дефектов. Но до сих пор не проведено комплексного исследования поведения примесей РЗЭ в кремнии, все данные носят противоречивый характер.

Связь диссертационной работы с тематическими планами НИР. Результаты диссертационной работы включены в научные отчеты по грантам ЦНТ РУз № п.2.1.68. «Исследование процессов формирования и развития дефектной структуры монокристаллического кремния, легированного примесями Т-ионов» и № ОТ-Ф2-081 «Изучение закономерностей дефектообразования в монокрис-таллическом кремнии с примесно-дефектными ассоциатами и динамических процессов формирования скрытых границ раздела полупроводник – диэлектрик».

Цель исследования. Основной целью настоящей диссертационной работы являлось изучение электрофизических свойств кремния, легированного Ho, La и Eu как путем диффузии, так и в процессе выращивания, а также межпримесного взаимодействия Ho, La и Eu с технологическими примесями: O и C.

Задачи исследования:

1. Исследовать электрофизические свойства образцов Si<Ho>, Si<Eu> и Si<La>, а также изучить энергетический спектр глубоких уровней в Si<Ho>, Si<Eu> и Si<La>, легированных как диффузионным путем, так и при выращивании.

2. Изучить роль гольмия, европия и лантана в процессах термического дефектообразования в кремнии.

3. Исследовать влияние атомов гольмия, европия и лантана на образование радиационных дефектов в кремнии, облученном -квантами.

4. Изучить взаимодействие атомов гольмия, европия и лантана с технологическими примесями (О и С) в кремнии с помощью ИК спектроскопии.

Объект и предмет исследования. Объектом диссертационного исследования являются образцы исходного монокристаллического кремния, выращенного методом Чохральского и бестигельной зонной плавки, Si, легированного Ho, La и Eu диффузионным методом и в процессе выращивания кремния из расплава. Предметом исследования является механизм влияния примесей РЗЭ на процессы термического и радиационного дефектообразования в кремнии.

Методы исследований. Для проведения исследований использовались методы нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней DLTS, фотоемкость и ИК поглощения.

Гипотеза исследования. Изменение эффективности образования глубоких уровней в Si легированном Ho, La и Eu в зависимости от технологических факторов.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Влияние атомов примесей Ho, La и Eu в кремнии введенных путем диффузии приводит к уменьшению концентрации оптически активного кислорода на 10-15% в зависимости от концентрации примеси РЗЭ.

2. Эффект уменьшения концентрации акцепторного центра – дефекта термо-обработки Ec-0.23 эВ при введении атомов примесей Ho, La и Eu в Si и связанных с ними изменении удельных сопротивлений легированного образцов.

3. Влияние наличие в объеме Si атомов примесей Ho, La и Eu на эффективность образование радиационных дефектов в образцах Si облу-ченных -квантами.
  1   2   3

Дадаць дакумент у свой блог ці на сайт

Падобныя:

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconИнтеграционные экономические процессы стран Черноморского региона
Охватывает все сферы жизнедеятельности, однако наиболее распространенным данное явление стало именно в экономике. Взаимодействие,...

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconПервое занятие Статика на плоскости Взаимодействие. Сила и момент
Согласно Галилею, состояние тела (положение и скорости) может измениться только в результате взаимодействия с другими телами. Взаимодействие...

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconВоронежский государственный технический университет
В основу данной программы положены следующие вопросы: теплофизические свойства веществ, термодинамические процессы, процессы переноса...

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconДыхательная гимнастика "Выдыхаем стресс"
Таким образом обеспечивается полноценное дополнительное питание для всех органов, активизируются обмен веществ и все жизненные процессы...

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconВзаимодействие родителей и учителя начальных классов как обязательное условие качества процесса образования
Изучение данной темы является актуальной, так как взаимодействие родителей и учителя одна из типичных проблем, с которой приходится...

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconМоделирование наноразмерных областей разупорядочения, созданных ионизирующими частицами в кремнии
Ведущая организация: фгбоу впо «Кубанский государственный технологический университет», г. Краснодар

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconУрок по технологии в 6 «Б»классе
Цель урока : ознакомить с технологическими условиями и навыками выполнения мозаики из различных материалов

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconЛекция наука метеорология и климатология
Эти явления и процессы совершаются в атмосфере не изолировано, а в тесном взаимодействии с процессами, происходящими в верхних слоях...

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconЭндогенные процессы это внутренние процессы и связанные с взаимодействием земной оболочки земли с внутренними сферами земли
Эндогенные процессы – это внутренние процессы и связанные с взаимодействием земной оболочки земли с внутренними сферами земли

Процессы дефектообразования в кремнии, легированном ho, La, Eu, и их взаимодействие с технологическими примесями о и с iconАлгоритм синхронизации логических часов
Однако, если два произвольных события случились в разных процессах на разных машинах, и эти процессы не имеют между собой никакой...

Размесціце кнопку на сваім сайце:
be.convdocs.org


База данных защищена авторским правом ©be.convdocs.org 2012
звярнуцца да адміністрацыі
be.convdocs.org
Галоўная старонка